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1 ：在50MHz以下衰減常數偏大或超差，而高頻有余量，常常是鋁塑復合帶中的鋁基太薄所致，在頻率比較低的時候，鋁基的厚度小于或與該頻率的透射深度相當，造成了αR過大。根據理論計算，f=50MHz時的鋁層透射深度為12.2µm。一般采取12~15µm的鋁基可以解決這個問題。（當然，如果考慮到屏蔽衰減的要求可以再適當加厚）
2 ：選擇PE在使用頻率內的tanδ較大，如達到x×10-3級別，則會造成絕緣結構的tanδ增大，從而使電纜(lan)的衰減增大。所以要注意2個問題，一是tanδ要小（如在400MHz時的tanδ為2~4×10-4，越小越好），一是工藝性能（如熔融指數為0.5~10）應適應與絕緣的擠出，不同的熔融指數有不同的溫度。
3 ：外導體編織一般60%-80%為宜，偏大對降低衰減效果不是很明顯。
4 ：絕緣生產用的模具設計和加工也是關鍵，應該保證產品達到較理想的均勻結構，使等效介點常數達到設計要求。
5 ：物理發泡PE其衰減在低頻是合格，而高頻（如超過800MHz）時超差，大都與介質損耗角正切值和等效介點常數偏大有關系，或者與外導體編織密度過小，內導體外直徑偏小有關系。另外，衰減常數還取決與發泡度的大小。在阻抗和回波允許的范圍內適當提高發泡度（可以通過增加發泡度，提高阻抗，降低衰減。）對提高電纜的衰減常數有幫助，同時還可以降低成本。
編輯：夏 江
